схема установки ионной имплантации

 

 

 

 

Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.1. Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. Назначение Ионной Имплантации. Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.Ионы имплантируемого материала разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют образец. Основной характеристикой степени обработки при ионной имплантации является распределение имплантированных ионов по толщине поверхностного слоя.Рис. 1. Схема установки для ионной имплантации. Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур».Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. 2 - масс-спектрометр. Ионной имплантацией называют процесс внедрения ускоренных в электромагнитном поле ионов в пластину полупроводника.На рис.

1 представлена схема установки ИЛ. Рисунок 9.4 - Принципиальная схема установки для ионной имплантации: 1-камера ионизации 2-ускоряющие и фокусирующие линзы 3-система сепарации ионов 4-мишень 5-система нагрева мишени 6-поток ионов. Ионная имплантация. Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области.Рис.7. Схема рабочей камеры установки ионной имплантации. ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ (ионное внедрение, ионное легирование) - введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускоренными ионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно- ионной эмиссии Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.Ионы имплантируемого материала разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют образец. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1.

Магнитный масс-спектрометр предназначен для отделения ненужных ионов от легирующих, электрометр - для измерения величины имплантированного потока ионов. Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур». Руководитель Евгеньев С. Б.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1.Магнитный масс-спектрометр предназначен для отделения ненужных ионов от легирующих, электрометр - для измерения величины имплантированного потока ионов. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.1. Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.Магнитный масс-спектрометр предназначен для отделения ненужных ионов от легирующих, электрометр - для измерения величины имплантированного потока ионов. Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Основными блоками ионно-лучевой установки являются источник ионов (ion source)Ионы имплантируемого материала разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют образец. Ионная имплантация. Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.Имплантированные ионы кислорода окисляют кремний превращающих его в окись кремния, являющегося прекрасным изолятором. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 — источник ионов.1. Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. Ионная имплантация (ионное легирование) широко применяется в процессе производства КМОП интегральных схем, биполярных транзисторов, микропроцессоровВ зависимости от технических параметров установки ионной имплантации делятся на следующие типы Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.Ионы имплантируемого материала разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют образец. Содержание. Введение. 1. Сущность и назначение ионной имплантации. 2. Схема установки.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. Сущность Ионной Имплантации. Ионная имплантация - это процесс, в котором практически любой элемент может быть внедрен в приповерхностнуюИзначально ионная имплантация применялась в микроэлектронике для изготовления больших интегральных схем. Установки ионной имплантации на средних токах созданы для максимизации однородности доз и повторяемости. Это основные рабочие лошади производителей микрочипов. 5. Рисунок 9.4 Принципиальная схема установки для ионной имплантации: 1камера ионизации 2 ускоряющие и фокусирующие линзы 3система сепарации ионов 4мишень 5система нагрева.9.2. структура и свойства имплантированных слоев. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.1.

Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. Установка ионной имплантации представляет собой вакуумную камеру, состоящую из ряда блоков, последовательно состыкованных с помощью уплотнений из вакуумной резины.Схема рабочей камеры (последнего блока установки) приведена на рис. 13. ионной имплантации. Бор, наряду с фосфором, основная примесь в кремнии, используемая для создания p-n пере-ходов и формирования структур интегральных схем на базе МДП-транзисторов. Рис. 1. Установка ионной имплантации. Рис. 2. Схема установки ионной имплантации: 1 вакуумная камера 2 источник ионов 3 форвакуумный насос 4 высоковакуумный агрегат 5 вентиль предварительной откачки 6 вентиль основной откачки 7 натекатель 8 СХЕМА УСТАНОВКИ. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. 2 - масс-спектрометр. Лекция по дисциплине «Наноинженерия» ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ. 6.1 Процесс ионной имплантации.Характеристики установок ионного легирования. 6.2 Ионное легирование ( имплантация - внедрение). Установка ионной имплантации представляет собой вакуумную камеру, состоящую из ряда блоков, последовательно состыкованных с помощью уплотнений из вакуумной резины.Схема рабочей камеры (последнего блока установки) приведена на рис. 13. Ионной имплантацией называют процесс внедрения ускоренных в электромагнитном поле ионов в пластину полупроводника.На рис. 1 представлена схема установки ионного легирования. КУРСОВАЯ РАБОТА. Тема: «Математическое моделирование ионно- имплантированных структур».Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. СХЕМА УСТАНОВКИ. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. 2 - масс-спектрометр. Метод ионной имплантации нашел промышленное применение при производстве полупроводников и интегральных схем.Главными компонентами установки для имплантации ионов являются ионный источник (ИИ), анализатор ионов по массам Так, уменьшение длины канала в МОП - транзисторах лучший способ снижения потребляемой мощности и увеличения плотности упаковки элементов в интегральных схемах.Выбор математической модели расчета ионной имплантации. И технология ионной имплантации по прежнему будет востребована.Установки ионной имплантации на средних токах созданы для максимизации однородности доз и повторяемости. Установка для ионной имплантации «ВИТА» (принципиальная схема изображена на рис. 25) была разработана в лаборатории ионной бомбардировки института атомной энергии имени И.В. Курчатова и изготовлена на ПО «Молния». Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур». Руководитель Евгеньев С. Б.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. КУРСОВАЯ РАБОТА. Тема: «Математическое моделирование ионно- имплантированных структур».Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов 2 - масс-спектрометр 3 - диафрагма 4 - источник высокого напряжения 5 - ускоряющая Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур». Руководитель Евгеньев С. Б.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласноНа фиг.1 представлена схема установки для имплантации высокоэнергетических ионов из импульсной лазерной плазмы с подачей Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.1. Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. СХЕМА УСТАНОВКИ Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов 2 - масс-спектрометр 3 - диафрагма 4R2 при x 800 C для устранения более сложных радиационных дефектов по сравнению с отжигом слоев, имплантированных бором. Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур». Руководитель Евгеньев С. Б.Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1. 1 - источник ионов.1. Возможность вводить (имплантировать) любую примесь, любой элемент Таблицы Менделеева. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1.Магнитный масс-спектрометр предназначен для отделения ненужных ионов от легирующих, электрометр - для измерения величины имплантированного потока ионов. Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1.Отжиг легированных структур. Параметры процесса отжига определяются дозой и видом имплантированных ионов. Ионной имплантацией называют процесс внедрения ускоренных в электромагнитном поле ионов в пластину полупроводника.На рис. 11.5.1 представлена схема установки ионного легирования.

Недавно написанные:



2007 - 2018 Все права защищены